Правообладатель РИД: Гарцев Николай Александрович

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC) с малой плотностью базальных дислокаций. Способ заключается в том, что так же как в известном способе для роста эпитаксиальных слоев SiC используется подложка...

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных структур монокристаллического карбида кремния (SiC) с малой плотностью эпитаксиальных дефектов. Способ роста эпитаксиальной структуры монокристаллического карбида кремния с малой...

Использование: для измерения времени ядерной спин-спиновой релаксации. Сущность: заключается в том, что на исследуемый образец, помещенный в датчик радиоспектрометра, воздействуют первой группой из двух импульсов высокочастотного магнитного поля, разделенных временным интервалом, частота...