Правообладатель РИД: Усов Сергей Петрович

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов. Сущность изобретения: в способе получения пористой пленки диоксида кремния нанометровой толщины пленка диоксида кремния...