Правообладатель РИД: Шишкин Виктор Александрович

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AB и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на...

Изобретение относится к области машиностроения, а именно к устройствам для объектов использования атомной энергии (ОИАЭ), и может быть, использовано в защитных камерах АЭС для контейнеров (пеналов) с отработавшим ядерным топливом (ОЯТ). Механизм установки и удержания крышки контейнера (пенала)...