Правообладатель РИД: Канг Гёнг Хун (KR)

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Моносилан непрерывно получают из галогенида кремния и гидрида металла при их стехиометрическом соотношении в жидкой реакционной среде в одном вертикальном аппарате колонного типа, секционированном по высоте на...