Правообладатель РИД: Погорельский Ю.В.

Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlGaN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlGaN. Канальный слой выполнен из AlGaN, где...