Правообладатель РИД: Бокарев В.П.

Использование: в микроэлектронике, а именно в способах фотолитического травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ фотолитического травления двуокиси кремния включает травление поверхности SiO в гексафториде серы при...