Правообладатель РИД: Еременко Александр Николаевич

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости,...