Правообладатель РИД: Рыбачек Елена Николаевна

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного...

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO, слой кремния и затем опорный слой, на котором...

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. Сущность изобретения: способ увеличения радиационной стойкости элементов КМОП-схем на КНИ подложке включает создание на КНИ подложке рабочих и изолирующих...