Правообладатель РИД: Путято Михаил Альбертович

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов с использованием подложек или слоев фосфида индия, легированных цинком. Сущность изобретения заключается в том, что способ легирования цинком подложек или слоев фосфида индия включает использование в качестве источника легирующей...

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой пленки содержит оправку для крепления композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой,...