Правообладатель РИД: Михеев Сергей Владимирович

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение сочетания характеристик...