Правообладатель РИД: Грохотков Иван Николаевич

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля профиля легирования в полупроводниках. Технический результат - повышение достоверности измерений и расширение диапазона глубин приповерхностного слоя образца, в которых определяется концентрация легирующей...