Правообладатель РИД: Решетников Л.Н.

Изобретение относится к проектированию, строительству и эксплуатации фундаментов сооружений в условиях криолитозоны. Способ повышения устойчивости свайных фундаментов в криолитозоне включает размещение теплоизоляционного экрана на поверхности грунтового основания и расчет необходимых его...