Правообладатель РИД: Швейкин Василий Иванович

Инжекционные излучатели используются в качестве высокоэффективных твердотельных источников излучения в широком диапазоне длин волн, в том числе и светодиодов. Технический результат изобретения: создание высокоэффективных и надежных инжекционных излучателей с поверхностным выводом излучения в...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, к мощным и компактным полупроводниковым лазерам. Лазер включает лазерную гетероструктуру. Гетероструктура содержит активный слой, волноводные и ограничительные слои, торцевые грани, продольную ось усиления, оптический резонатор. В гетероструктуре...

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит задающий лазер, интегрально и оптически связанный с ним линейный усилитель, два перпендикулярных усилителя, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем. Задающий лазер и указанные усилители сформированы в единой...

Диодный лазер включает гетероструктуру, которая содержит по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания. Гетероструктура характеризована отношением показателя преломления...

Использование: гетероструктуры используются для создания полупроводниковых инжекционных источников излучения: инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов, полупроводниковых оптических усилителей, которые применяются в волоконно-оптических системах связи, и передачи...

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит по крайней мере один диодный лазер и по крайней мере, два диодных оптических усилителя, интегрально связанных с упомянутым лазером и сформированных в той же гетероструктуре. Гетероструктура содержит по крайней мере один...