Правообладатель РИД: Долгов Алексей Николаевич

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости,...

Изобретение относится к средствам для образования паровой и парогазовой смеси, используемой при высокотемпературной обработке изделий в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение направлено на повышение надежности и качества дозатора, что обеспечивается за счет...

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки. Лодочка состоит из четырех параллельных кварцевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой...