Правообладатель РИД: Иткинсон Г.В.

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к конструкциям мощных источников света на основе полупроводниковых излучающих кристаллов. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового источника света, обладающего высокой оптической мощностью и...

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение квантовой эффективности AlGaInN-светодиода и упрощение его монтажа на коммутационную плату. Светоизлучающий диод включает подложку, эпитаксиальную гетероструктуру на...