Правообладатель РИД: Кривошеева Александра Николаевна

Изобретение предназначено для использования в конструкции и технологии производства широкого класса микроэлектронных приборов. Чувствительный элемент (ЧЭ) содержит подложку из монокристаллического кремния, двухслойную мембрану, включающую слой SiN и компенсирующий слой из AlN с преимущественной...