Правообладатель РИД: Нисневич Яков Давыдович

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности обратного тока i и напряжения пробоя v высоковольтного p-n-перехода и...