Правообладатель РИД: Муравицкий С.А.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния. Установка для получения поликристаллического кремния содержит...

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния. Установка для получения стержней поликристаллического кремния содержит разъемный реактор 1, вертикальную...

Изобретение относится к металлургии кремния, а именно к получению трихлорсилана - SiHCl, используемого в производстве полупроводникового кремния, из тетрахлорида кремния - SiCl. Способ получения трихлорсилана включает активацию реакции взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом...