×

Правообладатель РИД: Шведов Евгений Анатольевич

Показаны записи 1-1 из 1.
07.02.2019
№219.016.b7e3

Способ формирования диэлектрического слоя на поверхности кристалла inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678944
Дата охранного документа: 04.02.2019
+ добавить свой РИД