Правообладатель РИД: Быков Юрий Олегович

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта. Способ получения...

Использование: для получения монокристаллов SiC. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает сублимацию источника карбида кремния на пластину затравочного монокристалла SiC в присутствии расположенной параллельно ей во внутреннем объеме ростового тигля пленки из карбида...

Изобретение относится к микро- и нанотехнологии. Магнетрон, оснащенный полым трубчатым катодом-мишенью (1), присоединен с помощью электромагнитного направляющего устройства (ЭНУ) к рабочей камере (2), в которой смонтирован держатель (3) обрабатываемого изделия. Магнетрон оборудован...

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на...