Правообладатель РИД: Нагнойный Владимир Александрович

Изобретение относится к области твердотельной электроники, в частности способам формирования изоляции активной части полевых транзисторов с трехмерной структурой затвора (FinFET). Сущностью изобретения является способ формирования захороненной диэлектрической области изоляции активной части...