Правообладатель РИД: ЯНГ Хайтао (CN)

Изобретение относится к областям энергетики и химической технологии, в частности к системе и способу получения 3,5-валентного ванадиевого электролита высокой чистоты. Согласно изобретению система и способ получения ванадиевого электролита высокой чистоты с валентностью 3,5 включает гидролиз...

Изобретение относится к области электротехники, а именно к системе и способу получения ванадиевого электролита высокой чистоты, который затем используется в проточном редокс-аккумуляторе. Способ включает получение оксида ванадия низкой валентности из окситрихлорида ванадия, выступающего в...

Изобретение относится к области электротехники, а именно к системе и способу для получения электролита высокой активности со специальной валентностью для полностью ванадиевого проточного редокс-аккумулятора. Ванадий, содержащий материал, восстанавливают до оксида ванадия низкой валентности со...

Изобретение относится к областям получения энергии и химической технологии, в частности к системе и способу получения электролита высокой чистоты для ванадиевого аккумулятора. Система и способ получения электролита содержат получение оксида ванадия посредством гидролиза жидкой фазы и...

Изобретение относится к системе и способу получения ванадиевого электролита высокой чистоты и высокой активности. Согласно изобретению система и способ получения ванадиевого электролита включает преобразование высокочистого окситрихлорида ванадия в соль аммония в псевдоожиженном слое (2) путем...

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Пентоксид ванадия промышленной категории превращают в окситрихлорид ванадия низкотемпературным хлорированием в псевдоожиженном слое. При этом хлорирующий газ предварительно нагревают посредством теплообмена между псевдоожижающим...