Правообладатель РИД: ХИРАНО, Акира (JP)

Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, имеющего пиковую длину волны излучения 285 нм или более короткую, содержит первый этап, на котором формируют слой полупроводника n-типа, состоящий из полупроводника n-типа на основе AlGaN...

Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. Нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент включает полупроводниковый слоистый...