Правообладатель РИД: СИМСЕК-ЭГЕ Фатма (US)

Предложена многоуровневая укладка элементов памяти, имеющих слой из оксида алюминия (AlOx) в качестве благородного слоя HiK для обеспечения избирательности остановки вытравливания. Каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти. Схема включает в себя поликристаллический слой...