Правообладатель РИД: ТАКЭ Наоя (JP)

Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)Sn на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего...