Правообладатель РИД: МУКХЕРДЖИ Нилой (US)

Изобретение относятся к области изготовления электронного устройства и, в частности, к изготовлению устройств на основе материалов III-V групп. Структура интегральной микросхемы включает подложку, включающую монокристаллический кремний, изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий...

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят...