Правообладатель РИД: ШАНХАЙ ЧИПТЕК СЭМИКОНДАКТОР ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)

Изобретение относится к светодиодной эпитаксиальной пластине и способу ее получения. Предложена неполярная светодиодная эпитаксиальная пластина синего свечения на подложке из алюмината лантана (LAO), содержащая последовательно нанесенные на подложку из LAO слои: буферный слой, выполненный из...