Правообладатель РИД: Буравлев Алексей Дмитриевич

Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием...

Техническое решение относится к области защиты изделий, ценных бумаг и документов. Технический результат заключается в повышении защищенности данных документов и изделий и упрощении процедуры верификации подлинности. В способе в защищаемый документ, ценную бумагу или изделие вводят или наносят...