Правообладатель РИД: Шумакин Никита Игоревич

Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам выращивания полупроводниковых слоев арсенида галлия методами жидкофазной эпитаксии. Способ включает в себя составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое...

Использование: для изготовления полупроводниковых p-i-n структур на основе системы GaAs-GaAlAs методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает выращивание в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры GaAs-GaAlAs,...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом...