Правообладатель РИД: Чиков Николай Иванович

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов, и может быть использовано для создания на их основе приемо-передающей радиоэлектронной аппаратуры. Мощный СВЧ транзистор содержит керамический корпус с...

Изобретение относится к области антенной техники, в частности к приемопередающим АФАР. Техническим результатом изобретения является снижение массы антенной решетки. Предложено излучатели располагать в виде печатных вибраторов с плечами из металлических полос на диэлектрической подложке над...

Изобретение относится к антенной технике для мобильных наземных станций спутниковой связи с линейной поляризацией сигнала. Техническим результатом является независимость поляризационной развязки антенной системы от угла поворота плоскости поляризации сигнала. Предложен способ, в котором...

Изобретение относится к антенной технике. Техническим результатом является повышение вибрационной прочности конструкции вибраторного излучателя. Упомянутый технический результат достигается тем, что плечи вибратора выполняют печатным способом на диэлектрической пластине прямоугольной формы, при...

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано в радиолокационных системах опознавания объектов. Достигаемый технический результат - увеличение сектора работы в угломестной плоскости при неподвижной антенной системе за счет использования электронного сканирования диаграммы...

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в приемопередающих активных фазированных антенных решетках (АФАР). Техническим результатом предлагаемого изобретения является снижение массы и увеличение вибропрочности антенной решетки. Согласно способу, делят антенную...

Изобретение относится к антенной технике, а более конкретно к печатным антеннам, и предназначено для построения бортовых антенных решеток радиотехнических комплексов спутникового базирования. Фрактальный излучатель состоит из двух металлизированных диэлектрических плат одна над другой. Верхняя...