Правообладатель РИД: ЧАУ Роберт С. (US)

Изобретение относятся к области изготовления электронного устройства и, в частности, к изготовлению устройств на основе материалов III-V групп. Структура интегральной микросхемы включает подложку, включающую монокристаллический кремний, изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий...

Изобретения могут быть использованы в электронных устройствах на подложке, например в транзисторах, интегральных схемах и т.д. Ребра электронного устройства могут быть сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной...

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят...

Изобретение относится к структурам электронных схем. Ребра электронного устройства сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI). Высота щели может...