Правообладатель РИД: Рябев Алексей Николаевич

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, а именно к технологии производства тренч-транзисторов, и может быть использовано для изготовления силовых полевых радиационно-стойких тренч-транзисторов. Способ формирования структуры полевого силового радиационно-стойкого...

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором. Техническим результатом изобретения является унификация маршрута изготовления путем использования методов самосовмещения и...