Правообладатель РИД: Божьев Иван Вячеславович

Изобретение относится к наноэлектронным устройствам. Технический результат заключается в повышении надежности устройства при рабочей температуре от 200 К и выше. Технический результат достигается за счет резервуарного вычислительного устройства, котороевключает систему металлических электродов,...

Изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов с островом в виде единичных атомов в кристаллической решетке. Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении высокой (~5 нм)...

Использование: для формирования резистных масок. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой резиста, в качестве которого выбирают низкомолекулярный полистирол, на подложку методом термического вакуумного напыления, при этом температура подложки во время напыления не более 30°C;...

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от...