Правообладатель РИД: Одинец Андрей Анатольевич

Изобретение относится к способу получения сегнетоэлектрической пленки Ba-SrTiO и может быть использовано для мощной сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава BaSrTiO на подложку карбида кремния в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С...

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок для сверхвысокочастотных применений и может быть использовано для выбора оптимальных компонентных составов пленок и срезов монокристаллической подложки для достижения эпитаксиального роста. На первом этапе определяется материал...

Способ получения сегнетоэлектрической пленки BaSrTiO относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок BaSrTiO для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава BaSrTiO на сапфировую подложку с подслоем...

Способ получения сегнетоэлектрической пленки BaSrTiO относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок BaSrTiO для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе на сапфировой подложке формируют сплошной сегнетоэлектрический слой...