Правообладатель РИД: КАДОГУТИ Такуя (JP)

Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)Sn на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего...

Полупроводниковое устройство (2) содержит первый и второй полупроводниковые элементы (3, 5) и первый и второй токопроводящие элементы (10, 29). Первый электрод (3а) на первом полупроводниковом элементе крепится к первому столбиковому элементу (12) первого токопроводящего элемента посредством...