×

Правообладатель РИД: Харьков Максим Михайлович

Показаны записи 1-4 из 4.
11.07.2019
№219.017.b2d0

Способ ионно-плазменного получения наноструктур на поверхности вольфрама

Изобретение относится к способу ионно-плазменного получения наноструктур на поверхности вольфрама. Сначала производят обработку поверхности образца в плазме индукционного высокочастотного разряда в аргоне при импульсном отрицательном напряжении смещения на изделии величиной выше 100 В с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694177
Дата охранного документа: 09.07.2019
27.04.2019
№219.017.3db3

Способ формирования износостойкого покрытия на поверхности изделий из стали

Изобретение относится способу плазменной химико-термической обработке стали. Размещают в вакуумной камере образец, создают вакуум, напускают в камеру реактивный газ в виде смеси водорода и азота. Проводят азотирование поверхности изделия в плазме индукционного высокочастотного разряда при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686397
Дата охранного документа: 25.04.2019
01.11.2018
№218.016.983f

Способ комбинированного плазменного упрочнения поверхности изделий из титановых сплавов

Изобретение относится к области металлургии, в частности к плазменной химико-термической обработке титановых сплавов, и может быть использовано в машиностроении для повышения износостойкости и коррозионной стойкости деталей машин. Способ комбинированного плазменного упрочнения поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671026
Дата охранного документа: 29.10.2018
25.08.2017
№217.015.ab44

Способ ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов

Изобретение относится к способу ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов. Поверхность очищают ионами аргона в плазме тлеющего разряда при напряжении разряда до 700 В, мощности до 1,5 кВт и рабочем давлении 1 Па в течение 10...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612113
Дата охранного документа: 02.03.2017
+ добавить свой РИД