Правообладатель РИД: ИБА Дзун (JP)

Устройство фотоэлектрического преобразования включает в себя полупроводниковую подложку, имеющую одну главную поверхность, включающую в себя углубленные участки, и изолирующие тела в углубленных участках. Полупроводниковая подложка включает в себя элементы фотоэлектрического преобразования,...

Изобретение относится к устройству захвата изображения. Устройство захвата изображения содержит: пиксельную область, имеющую множество пикселей, которые размещены двухмерным образом, причем каждый из множества пикселей служит в качестве пикселя захвата изображения и пикселя обнаружения фокуса,...

Устройство фотоэлектрического преобразования имеет светопринимающие элементы, расположенные на плоскости формирования изображения. Светопринимающий элемент включает в себя множество участков фотоэлектрического преобразования, выстроенных в первом направлении, параллельном плоскости формирования...