Правообладатель РИД: ШЭНЬ, Бяо (CN)

Изобретение относится к получению высокочистого пентоксида ванадия. Стадия А включает добавление ванадийсодержащего продукта выщелачивания, полученного в результате кальцинирующего обжига ванадиевого шлака и кислотного выщелачивания, в смешанный раствор, содержащий карбонат-ионы, ионы аммония и...

Настоящее изобретение относится к извлечению ванадия из ванадиевого шлака посредством обжига с композитом на основе кальция и марганца. Соединения, содержащие кальций и марганец в качестве добавок, смешивают с тонкоизмельченным порошком ванадиевого шлака. Обжигают при температуре 750-1000°С в...

Изобретение относится к извлечению ванадия из ванадийсодержащего материала. Способ включает получение смеси ванадийсодержащего материала с добавкой соли натрия и проведение обжига. Полученную смесь ванадийсодержащего материала с добавкой соли натрия смешивают с клинкером, представляющим собой...

В настоящем изобретении представлен способ двухстадийного натрирующего обжига ванадийсодержащего материала, включающий последовательное выполнение первой стадии обжига и второй стадии обжига сырья. При этом сырье представляет собой смесь ванадийсодержащего материала с добавкой соли натрия....

Изобретение относится к способу кальцинирующего обжига ванадийсодержащего материала. Способ включает: контактирование и вступление во взаимодействие сырья с клинкером в условиях кальцинирующего обжига. Сырье представляет собой смесь, содержащую ванадийсодержащий материал и кальцийсодержащий...

Изобретение относится к способу двухстадийного кальцинирующего обжига ванадийсодержащего материала. Способ включает: выполнение первой стадии обжига сырья с последующим выполнением второй стадии обжига. Температуру на первой стадии обжига поддерживают ниже температуры на второй стадии обжига....