Правообладатель РИД: Громов Владимир Иванович

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение сочетания характеристик...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы, включающем присоединение к лицевой стороне исходной кремниевой пластины со сформированным кристаллом интегральной микросхемы другой кремниевой или...

Использование: для изготовления карбид кремниевых приборов, а именно высоковольтных диодов Шоттки. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит окисление поверхности эпитаксиальной структуры, формирование в оксиде кремния контактных окон методом фотолитографии, формирование...

Способ формирования острия лезвия микроинструмента включает получение исходной плоскопараллельной монокристаллической пластины с рабочей поверхностью ориентации в кристаллографической плоскости (100) и толщиной, равной конечной толщине лезвия, нанесение на обе поверхности пластины защитного...