Правообладатель РИД: ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук

Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа...

Объектив может использоваться для концентрации энергии электромагнитного поля, а также для создания изображения объекта в диапазонах от сверхвысокочастотного (СВЧ) и до оптического включительно. Объектив содержит фокусирующую линзу, дополнительную вторую линзу и трубку-держатель линз на ее...

Использование: для создания сверхпроводникового джозефсоновского прибора. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой на основе тонкопленочной структуры имеет планарную геометрию из тонких пленок в виде...