×

Правообладатель РИД: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ")

Показаны записи 1-7 из 7.
20.01.2018
№218.016.168f

Способ определения адгезионной прочности покрытий к подложке

Использование: для определения адгезионной прочности несплошных наноструктурированных покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения адгезионной прочности покрытий к подложке включает выбор области покрытия, проведение воздействия на выбранную область, регистрацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635335
Дата охранного документа: 10.11.2017
20.01.2018
№218.016.1118

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633909
Дата охранного документа: 19.10.2017
29.12.2017
№217.015.f8c0

Способ получения магнитной жидкости

Изобретение относится к области коллоидной химии и может быть использовано для получения магнитных жидкостей, применяемых в медицине для доставки лекарственных препаратов в требуемые органы живых организмов. Способ получения магнитной жидкости заключается в том, что приготавливают водный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639709
Дата охранного документа: 22.12.2017
25.08.2017
№217.015.d239

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621767
Дата охранного документа: 07.06.2017
25.08.2017
№217.015.b0fc

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками. В способе получения полупроводникового карбидокремниевого элемента, включающем введение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613013
Дата охранного документа: 14.03.2017
13.01.2017
№217.015.853c

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 6 на затравочную пластину 5 из монокристаллического SiC, закрепленную на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603159
Дата охранного документа: 20.11.2016
12.01.2017
№217.015.5bca

Устройство для контроля положения рельсового пути в горизонтальной плоскости

Изобретение относится к области диагностики железнодорожного пути. Устройство для контроля положения рельсового пути в горизонтальной плоскости согласно изобретению содержит вычислительный блок, в состав которого входят два блока пересчета координат, две линии задержки на 12,5 метров, две линии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589817
Дата охранного документа: 10.07.2016
+ добавить свой РИД