Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура...

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в качестве информационной базы при управлении движением различных транспортных средств и пеших групп, использовании автоматизированной системы управления войсками, планировании и проведении полевых исследований и...

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и...

Изобретение относится к теплоизоляционным материалам, в частности пеностеклу. Технический результат изобретения заключается в расширении диапазона плотности пеностекла от 150 до 600 кг/м и в создании способа производства пеностекла, безопасного для печного оборудования и для окружающей среды....