Правообладатель РИД: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники"

Изобретение относится к электронной технике, в частности к процессам формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием электрохимического осаждения и взрывной литографии. Способ фотолитографии включает формирование первого слоя позитивного фоторезиста путем, по...