Правообладатель РИД: Шангереев Юсуп Пахрудинович

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч;...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl). В качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl) при...