Правообладатель РИД: Рогачев Илья Александрович

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложкиполупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида...

Способ изготовления омических контактов мощных электронных приборов на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия, включающий формирование заданной топологии омических контактов на заданном наружном слое упомянутой полупроводниковой гетероструктуры, нанесение материала омических...

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей подложки с активным слоем по меньшей мере одной пары единичных электродов истока и стока, с каналом между ними, посредством...

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на...