Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ангарский государственный технический университет"

Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной...