Правообладатель РИД: ЛОПЕС Тони (NL)

Изобретение относится к компактным и эффективным устройствам преобразования мощности. Техническим результатом является управление питанием на нескольких выходах посредством единственного модуля преобразования мощности. Результат достигается тем, что блок (10) возбуждения LED для возбуждения, по...

Изобретение относится к области цепей возбуждения для светодиодных (СИД) источников света. Техническим результатом является минимизирование потерь из-за вариаций прямого напряжения СИДа. Результат достигается тем, что возбудитель для возбуждения одного или множества СИДов (D1, D2) содержит по...

Изобретение относится к устройству преобразования напряжения (10) для питания нагрузки (11) ШИМ сигналом через индуктивный выходной фильтр (105). Устройство преобразования напряжения (10) содержит модуль преобразования напряжения (101), питаемый входным напряжением постоянного тока (Vin), и...

Изобретение относится к осветительному устройству для встраивания символов данных информационного сигнала в выходной сигнал яркости осветительного устройства. Устройство включает в себя светоизлучающий диод (LED), содержащий по меньшей мере два сегмента, которые имеют общий электрод и выполнены...

Изобретение относится к драйверному устройству (50a-50f) и соответствующему способу приведения в действие нагрузки (22), в частности блока LED, содержащего один или более LED (23). Техническим результатом является обеспечение драйверного устройства для приведения в действие нагрузки, в...

Изобретение относится к устройству (50a-50j) драйвера и соответствующему способу возбуждения для возбуждения нагрузки (22), в частности, блока LED. Техническим результатом является предоставление драйвера с высоким коэффициентом полезного действия, который может применяться для широких...

Светоизлучающее диодное (СИД) устройство содержит кристалл (40) СИД, содержащий светоизлучающий полупроводниковый слой (20), эпитаксиально выращенный на подложке роста и продолжающийся, по существу, по всему кристаллу СИД, причем кристалл СИД имеет верхнюю поверхность, содержащую слой (28)...