Правообладатель РИД: Редьков Алексей Викторович

Группа изобретений относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использована при создании функциональных элементов полупроводниковых приборов. Функциональный элемент полупроводникового прибора представляет собой подложку из кремния со сформированной...

Группа изобретений относится к области разделения смеси газов, в частности к способу и устройству разделения смеси газов по молекулярной массе, и может быть применено для производства сверхчистых газов, востребованных современной промышленностью, а также в атомной отрасли для подготовки...

Изобретение относится к способам изготовления сенсорного модуля для получения спектров гигантского комбинационного рассеяния (ГКР). Способ включает четырехстадийную обработку поверхности плоского стеклянного основания. На первой стадии производят обогащение приповерхностного слоя стеклянного...

Группа изобретений относится к области термозащитных и антиокислительных покрытий и может быть использована для повышения химической инертности и температуры эксплуатации изделий, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе, в химической промышленности и др....

Изобретение относится к способам получения наноструктурированных материалов, в частности к способу нанесения на поверхность стекол заданного рельефа с характерным латеральным разрешением порядка сотен нанометров. Способ микропрофилирования поверхности многокомпонентных стёкол включает...

Группа изобретений относится к области термозащитных, оптических и антиокислительных покрытий и может быть использована для повышения химической инертности, температуры эксплуатации изделий и создания специальных оптических покрытий, используемых в авиакосмической промышленности,...

Изобретение относится к способам получения наноструктурированных материалов. Технический результат изобретения заключается в получении структурированных сплошных и наноостровковых пленок без использования сложных технических средств. В стекло методом ионного обмена вводят ионы металла. Перед...