Правообладатель РИД: ПЕРНО Сирил (JP)

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент содержит подслойную часть, включающую подложку, которая состоит из сапфира и имеет поверхность, наклоненную к поверхности (0001) так, что образуется многоступенчатая терраса, слой AlN, образованный на поверхности этой...

Настоящее изобретение предусматривает способ получения шаблона для эпитаксиального выращивания. Способ содержит стадию поверхностной обработки, включающий диспергирование Ga-атомов на поверхности сапфировой подложки, и стадию эпитаксиального выращивания AlN-слоя на сапфировой подложке, где...

Данный нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент обеспечивается: базовой секцией структуры, которая включает в себя сапфировую подложку (0001) и слой AlN, сформированный на подложке; и секцией структуры светоизлучающего элемента, которая включает в себя слой покрытия...