Правообладатель РИД: Путролайнен Вадим Вячеславович

Изобретение относится к области осцилляторных нейронных сетей импульсного типа и может быть использовано для распознавания и классификации образов. Техническим результатом является обеспечение запоминания и распознавания множества образов, используя один входной слой сети. Способ представляет...

Изобретение относится к области корпусирования интегральных микросхем памяти и предназначено для снижения коробления изготавливаемых корпусных микросхем с расположением нескольких кристаллов NAND-памяти в едином корпусе BGA-типа. Уменьшение коробления достигается за счет подбора материалов...

Изобретение относится к области реализации моделей нейронных сетей, а в частности сетей на базе связанных осцилляторов, представляющих собой импульсные осцилляторные нейронные сети, которые могут использоваться для распознавания образов. Техническим результатом является обеспечение запоминания...

Изобретение относится к области прозрачных износостойких сверхтвердых покрытий, наносимых на прозрачные изделия, и может быть использовано для защиты стекла от царапания и износа в оптических устройствах и экранах дисплеев. Способ получения прозрачного износостойкого покрытия на основе борида...

Изобретение относится к области износостойких покрытий на основе соединения борида алюминия–магния и может быть использовано для изготовления инструмента и различных деталей. Способ получения износостойкого покрытия на основе борида алюминия-магния на металлической или кремниевой подложке...

Изобретение относится к области реализации моделей нейронных сетей, а в частности к системам связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения, представляющим собой осцилляторные нейронные сети, которые могут использоваться для распознавания образов. Способ...

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия...